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【央廣網(wǎng)】南昌大學(xué)一項(xiàng)技術(shù)被評(píng)選為“科創(chuàng)中國(guó)”先導(dǎo)技術(shù)

作者:鄧玉玲時(shí)間:2021-01-28
攝影 央廣網(wǎng) 單位
  

央廣網(wǎng)南昌1月28日消息(記者鄧玉玲)近日,中國(guó)科協(xié)發(fā)布了2020年“科創(chuàng)中國(guó)”先導(dǎo)技術(shù)榜單。其中南昌大學(xué)國(guó)家硅基LED工程技術(shù)研究中心研發(fā)的“高光效黃光LED材料與芯片制造技術(shù)”榜上有名。

“科創(chuàng)中國(guó)”先導(dǎo)技術(shù)榜單聚焦電子信息、生物醫(yī)藥、先進(jìn)材料、裝備制造、資源環(huán)境等五個(gè)“科創(chuàng)中國(guó)”試點(diǎn)城市(園區(qū))需求最為集中、迫切的領(lǐng)域,優(yōu)選能夠代表前沿水平,實(shí)現(xiàn)技術(shù)重大突破,商業(yè)模式可見(jiàn)、商業(yè)潛力巨大的50項(xiàng)技術(shù)成果,其中19項(xiàng)成果來(lái)自全國(guó)各大高校。

2020年“科創(chuàng)中國(guó)”先導(dǎo)技術(shù)榜單(高校部分)

南昌大學(xué)國(guó)家硅基LED工程技術(shù)研究中心通過(guò)裝備與工藝的協(xié)同創(chuàng)新,創(chuàng)新發(fā)展了具有自主產(chǎn)權(quán)的大科學(xué)裝置—MOCVD高端裝備,并在硅襯底上生長(zhǎng)第三代半導(dǎo)體InGaN黃光LED材料,取得了歷史性突破,將黃光LED的光效提升到了27。9%。該技術(shù)結(jié)束了國(guó)際市場(chǎng)上長(zhǎng)期缺乏高光效黃光LED的局面,其技術(shù)指標(biāo)遠(yuǎn)超過(guò)熒光型技術(shù)路線(xiàn)實(shí)現(xiàn)的同色溫光源,解決了LED熒光技術(shù)實(shí)現(xiàn)的超低色溫光源存在的光效不高、光衰較大、顯色不足的難題,開(kāi)拓了健康照明的新方向,具有廣泛的應(yīng)用價(jià)值,市場(chǎng)前景廣闊。

原文鏈接:

http://jx.cnr.cn/2011jxfw/yysc/20210128/t20210128_525402010.shtml

編    輯:邢晨陽(yáng)

責(zé)任編輯:韓周松